![]() 昆山正耀电子成立于2006年，我们是一家专业的电子元器件分销商，员工人数100+人，在全国各地设有7个办事处。授权代理宏发(HF), 兆易(GD),圣邦微(SGM),新洁能(NCE),芯朋微(Chipown),立隆(Lelon),强茂(PANJIT),纳芯微（NSi）,台晶(TXC),君耀(BrightKing),东微，捷捷微等品牌。
我们的团队充满朝气与活力，团队平均年龄不超过30岁，70%以上人员拥有超5年的行业工作经验，我们为客户提供研发选型阶段之规格推荐,样品提供，技术支持及方案整合等专业的服务，并配合客户依照需求提前备料及库存管理。
我们已经在新能源、汽车电子、工业控制、电力电子、医疗、物联网、机器人等领域拥有比较高的市场占有率。我们持续提供快速的反馈及优越的交货服务满足客户差异化之需求，以创造更高的产品附加价值。
BASiC基本碳化硅MOSFET具备开关中的小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗，以及无阈值通态特性等。非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如LLC和ZVS，广泛应用于OBC车载充电器，光伏储能逆变器，充电桩电源模块等，可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来高效率，从而可以减小系统尺寸、增大功率密度，并确保高可靠性，延长使用寿命。
BASiC基本SiC MOSFET,BASiC基本SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块，BASiC基本SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，储能逆变器SiC MOSFET，光伏逆变器SiC MOSFET
BASiC基本混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关优化的IGBT晶圆以及650VBASiC基本SiC二极管，基本SiC二极管极小Qrr，有效降低对管IGBT开通损耗，且自身反向恢复损耗Erec也明显降低，IGBT开通损耗随温度的影响很小，降低EMI，广泛应用于OBC车载充电器，光伏储能逆变器，充电桩电源模块，移动储能逆变器功率因数校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。
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