36氪独家获悉，北京晶飞半导体科技有限公司（下文简称：晶飞半导体）于2023年9月完成天使轮融资，该轮融资金额为数千万元。
本次融资由无限基金See Fund领投，德联资本和中科神光跟投。
该轮融资筹集到的资金将主要用于公司的技术研发、市场拓展以及团队建设。
这一投资将进一步加速晶飞半导体在半导体领域的创新步伐，为推动公司技术和产品的不断升级提供了有力支持。
成立于2023年7月，晶飞半导体的创业契机源于第三代半导体材料——碳化硅。
碳化硅相较于上一代半导体材料硅，具备“高功率密度、高开关频率、高工作温度和高耐压”等特点，因此是高压功率器件的演进方向，在新能源汽车、光伏、轨道交通等各类场景下拥有广泛的使用前景。
然而，全球制约碳化硅在功率器件渗透率的核心要素便是成本。
尽管碳化硅具备大带隙、大载流子漂移速率和大热导率的优势，但是其硬度远比传统半导体材料硅更硬，导致切割碳化硅损耗极高。
从成本结构来看，衬底成本占比在碳化硅器件中高达47%，传统硅基器件仅有7%。
因此其衬底降本是实现碳化硅器件快速渗透的重要途径。
综上所述，晶飞半导体致力于研究激光垂直剥离技术研究，以实现对第三代半导体材料的精准剥离，以有效降低碳化硅衬底的生产成本。
在6英寸和8英寸碳化硅衬底激光垂直剥离技术的研发方面，创始团队深耕于激光精细微加工领域，利用超快激光技术，为各种超薄、超硬、脆性材料提供激光解决方案，积极推动激光精细加工在制造业的国产化和传统工艺替代。
晶飞半导体目前的主打产品，是碳化硅晶圆激光垂直剥离设备。
此前，碳化硅普遍使用金刚线剥离，激光垂直剥离特点在于，此前技术模式的线损为200 μm，研磨和抛光的损失为100 μm；激光垂直剥离晶圆的线损为0，脉冲激光在晶锭内部形成爆破层，在分离后由于裂纹延伸的存在，在后续抛光加工后材料损失可控制在80~100 μm。
传统多线切割导致珍贵的衬底材料在加工过程中的浪费晶飞在半导体剥离上的新技术模式相比于金刚线剥离损失的1/3，这大大节约了剥离损失；对于厚度为 2 cm的晶锭，使用金刚线切割晶圆产出量约为 30 片，然而采用激光剥离技术晶圆产出量约为 45 片，增加了约 50 %。
碳化硅激光剥离技术演示图团队构成方面，晶飞半导体本科及以上学历人员占比90%、研发人员占比80%， 其中40%以上的人员具备博士学位，团队具备机械、电气、软件和光学的融合背景。
关于晶飞剥离技术的商业价值，德联资本投资经理康乾熙对36氪表示，“新能源革命的大背景下，碳化硅功率器件市场潜力巨大。
第三代半导体是功率半导体材料的重要演进方向，但受制于成本，行业的渗透一直存在挑战。
激光剥片这一新技术的出现可以显著降低衬底成本，通过在切片加工新技术的部署，可以大幅降低碳化硅衬底成本从而完成下游，如新能源汽车、轨道交通、光伏等行业的进一步渗透，降低损耗，推动未来能源系统变革。
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