在TDA4700的输出晶体管导通时T1也导通，其射极电流由R3限制，并经由D3控制T3.同时T2基极对发射极为正，故T2截止，T4也截止。
若SIPMOS的输出晶体管截止，则T1、T3截止。
SIPMOS晶体管的输入电容经T2、R4充电，于是T4由T2控制，加速了放电过程。
该电路优点是吸收的电流很小，而控制的电流又很小，特别适于有高开关频率的并联运行电路。
在TDA4700的输出晶体管导通时T1也导通，其射极电流由R3限制，并经由D3控制T3.同时T2基极对发射极为正，故T2截止，T4也截止。
若SIPMOS的输出晶体管截止，则T1、T3截止。
SIPMOS晶体管的输入电容经T2、R4充电，于是T4由T2控制，加速了放电过程。
该电路优点是吸收的电流很小，而控制的电流又很小，特别适于有高开关频率的并联运行电路。
