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适用于数据中心UPS、大功率快速充电桩的基本半导体BMF240R12E2G3全碳化硅功率模块
发布时间:2023-08-25        浏览次数:199        返回列表

适用于数据中心UPS、大功率快速充电桩的基本半导体BMF240R12E2G3全碳化硅功率模块


PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块


基本半导体推出兼容EasyPACK™ 2B封装的工业级全碳化硅MOSFET功率模块BMF240R12E2G3,该产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。


产品优势


- 更稳定导通电阻


新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的Rds(on)波动。


- 更优异抗噪特性


宽栅-源电压范围(Vgss: -10V~+25V),及更高阈值电压范围(Vth: 3V~5V),便于栅极驱动设计。


- 更高可靠性


高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入,改善长期高温度冲击循环的CTE失配。



应用领域:燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。


LLC,移相全桥等应用实现ZVS主要和Coss、关断速度和体二极管压降等参数有关。Coss决定所需谐振电感储能的大小,值越大越难实现ZVS;更快的关断速度可以减少对储能电感能量的消耗,影响体二极管的续流维持时间或者开关两端电压能达到的最低值;因为续流期间的主要损耗为体二极管的导通损耗.在这些参数方面,B2M第二代碳化硅MOSFET跟竞品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小,需要的死区时间初始电流小;B2M第二代碳化硅MOSFET抗侧向电流触发寄生BJT的能力会强一些。B2M第二代碳化硅MOSFET体二极管的Vf和trr 比竞品有较多优势,能减少LLC里面Q2的硬关断的风险。综合来看,比起竞品,LLC,移相全桥应用中B2M第二代碳化硅MOSFET表现会更好.

  

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。


基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上,基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件,以更好地满足客户需求。


基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点

更低比导通电阻:第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案,比导通电阻降低约40%,产品性能显著提升。


更低器件开关损耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%,开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低,提高器件的抗干扰能力,降低器件在串扰行为下误导通的风险。


更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,产品可靠性表现出色。


更高工作结温:第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C,提高器件高温工作能力。