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基本半导体B2M第二代碳化硅MOSFET在LLC,移相全桥型电源应用中的优势
发布时间:2023-08-25        浏览次数:305        返回列表

基本半导体B2M第二代碳化硅MOSFET在LLC,移相全桥型电源应用中的优势 


LLC谐振型开关电源以其兼具能够在全负载范围内实现原边开关管的ZVS开通,整流二极管的ZCS关断的特点和便于磁集成、输入电压范围宽等优势,在高频开关电源领域获得了广泛的关注和应用。

移相全桥(Phase-Shifting Full-Bridge Converter,简称PS FB),利用功率器件的结电容与变压器的漏感作为谐振元件,使全桥电源的4个开关管依次在零电压下导通(Zero voltage Switching,简称ZVS),来实现恒频软开关,提升电源的整体效率与EMI性能,当然还可以提高电源的功率密度。


LLC,移相全桥等应用实现ZVS主要和功率MOSFET的Coss、关断速度和体二极管压降等参数有关。Coss决定所需谐振电感储能的大小,值越大越难实现ZVS;更快的关断速度可以减少对储能电感能量的消耗,影响体二极管的续流维持时间或者开关两端电压能达到的最低值;因为续流期间的主要损耗为体二极管的导通损耗。B2M跟竞品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小(115pF),需要的死区时间初始电流小;B2M第二代碳化硅MOSFET抗侧向电流触发寄生BJT的能力更强。B2M第二代碳化硅MOSFET的体二极管的Vf和trr比竞品优势明显,能减少LLC里面Q2的硬关断的风险。综合来看,相对竞品,在LLC,移相全桥型电源应用中B2M第二代碳化硅MOSFET表现会更好.


BASiC基本半导体第二代碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。  


BASiC基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点

更低比导通电阻:BASiC第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案,比导通电阻降低约40%,产品性能显著提升。


更低器件开关损耗:BASiC第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%,开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低,提高器件的抗干扰能力,降低器件在串扰行为下误导通的风险。


更高可靠性:BASiC第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,产品可靠性表现出色。


更高工作结温:BASiC第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C,提高器件高温工作能力。