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光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管,光伏逆变器SiC MOSFET,国产IGBT Hybrid Discrete...

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模块化储能变流器PCS用三电平碳化硅MOSFET模块
发布时间:2023-04-18        浏览次数:336        返回列表

BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片(带VCE保护)BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。


基本半导体全碳化硅MOSFET模块,Easy封装全碳化硅MOSFET模块,62mm封装全碳化硅MOSFET模块,Full SiC Module,SiC MOSFET模块适用于超级充电桩,V2G充电桩,高压柔性直流输电智能电网(HVDC),空调热泵驱动,机车辅助电源,储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机,超高频伺服驱动器,高速电机变频器等. 光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块,光储碳化硅MOSFET。


基本半导体第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。适用大功率电力电子装置的SiC MOSFET模块,半桥SiC MOSFET模块,ANPC三电平碳化硅MOSFET模块,T型三电平模块,MPPT BOOST SiC MOSFET模块。


NPC(Neutral Point Clamped)三电平拓扑结构是一种应用为广泛的多电平拓扑结构。近年来随着电力电子技术在电力行业的发展,NPC三电平技术开始越来越多的应用到各个领域,包括光伏逆变器、风电变流器、高压变频器、UPS、APF/SVG、高频电源等都有着广泛的应用。NPC拓扑常用的有两种结构,就是我们常说的“I”字型(也称NPC1)和“T”字型(也称NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是一种NPC1的改进型,这些年随着器件的发展,ANPC也开始有一些适合的应用。


在分时电价完善、峰谷电价差拉大、限电事件频发等多重因素驱动下,工商业储能的经济性明显提升。工商业储能是用户侧储能系统的主要类型之一,可以大化提升光伏自发自用率,降低工商业业主的电费开支,助力企业节能减排。

工商业储能装机有望在政策鼓励、限电刺激、电价改革等利好因素刺激下进入高速增长期,复合增速有望持续飙升。 


基本半导体混合IGBT单管在工商业储能PCS变流器中的应用指南:


工商业储能PCS变流器:

1、主要功率点位:35kW、50kW、70kW(35kW两模块并)、100kW(50kW模块两并)、125kW(62.5kW模块两并),功率点位的选择主要取决于电池容量,都是标准值;

2、T型三电平是主流方案,出于竞争力考量,采用分立器件IGBT;T型三电平的开关频率,目前主要在16-20kHz之间

3、35kW单机方案:TO-247封装单管IGBT是现阶段主力,横管用650V 50AIGBT两并联,竖管用1200V 40A IGBT 3颗并联或者1200V 25A IGBT 4颗并联。

4、单机功率要跃迁到50kW和62.5kW,纯硅IGBT的并联个数太多,不符合客户的利益要求,功率越往上走,客户有很强的动力减少IGBT单管的数量,混合IGBT具有明显的应用优势,横管竖管都使用混合IGBT,可以大限度压低IGBT开通电阻,降低IGBT开关损耗,大限度发挥混管的性能。客户将IGBT的开通关断电阻分开,如果横管跟竖管同时选择混管,理论上可以将开通电阻调到0Ω,大大降级IGBT的损耗,这么一来,可以缩小混管跟全碳MSOFET在这种方案中的差距,大程度发挥混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案现阶段评估成本还太高,无法干过混管。混管在现有方案中具有较强的发展潜力和生命力。


横管混合IGBT选型推荐:BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1

竖管混合IGBT选型推荐:BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1


基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT(硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等领域。